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高密度等離子
干法蝕刻設(shè)備ULHITE TM NE-7800H
高密度等離子干蝕刻設(shè)備 ULHITE TM NE-7800H 是一種多室型低壓、高密度,支持蝕刻 FeRAM 中使用的難蝕刻材料(鐵電體、貴金屬、磁性薄膜等) 、MRAM、ReRAM、PCRAM等。是等離子刻蝕設(shè)備。
特征
- 磁場(chǎng)ICP(ISM)法-低壓高密度等離子體處理非揮發(fā)性材料的專用機(jī)
- 我們提供從常溫到高溫(400oC)的蝕刻解決方案,層壓薄膜的批量蝕刻和硬掩模的去除。
- 通過(guò)從腔室到排氣管線和 DRP 的均勻加熱來(lái)進(jìn)行倉(cāng)庫(kù)測(cè)量。
- 在抑制維護(hù)清潔成本和顆粒產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)和材料以及加熱機(jī)制等非揮發(fā)性材料的蝕刻方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)的量產(chǎn)設(shè)備。
- 實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期重現(xiàn)性和穩(wěn)定性。
采用
- FeRAM、MRAM、ReRAM、CBRAM、PcRAM等
規(guī)格
物品 | 規(guī)格 |
設(shè)備配置 | 磁帶室/自動(dòng)裝載機(jī) |
運(yùn)輸室 | |
蝕刻室 | |
預(yù)熱室(可選) | |
前后處理室(選配) | |
可加工板尺寸 | 6.8 英寸 |
膜式 | 鐵電/高介電材料、磁性材料、電極材料等 |
面內(nèi)均勻度 | ± 5% 或更少 |
等離子源 | ISM(磁場(chǎng) ICP) |
基板電極溫度 | ~ 400oC ± 5oC |
沉積措施 | 法拉第屏蔽機(jī)構(gòu)/頂板加熱機(jī)構(gòu)/保護(hù)板加熱機(jī)構(gòu)等 |
工藝配方編輯方法 | 多步法 |